电工-实验图解二极管伏安特性曲线和主要参数
二极管的主要参数包括最大整流电流IM、最高反向工作电压、反向电流等，这些参数对于二极管的使用和选择具有重要意义。最大整流电流IM：它是二极管长期使用时允许通过二极管的最大正向平均电流值。超过此值，二极管可能会因过热而损坏。
二极管的伏安特性曲线和主要参数揭示了其独特的单向导电特性。通过实验电路，我们可以观察到二极管在不同电压下的电流响应，形成典型的伏安特性曲线，如锗和硅二极管的曲线所示。正向特性描绘了当正向电压增加时，电流从极小的电阻状态迅速上升，但必须控制在安全范围内，以防过载损坏（如图中的OA和AB段）。
电工实验中，二极管的伏安特性曲线展示了其正向和反向导电特性，主要参数则定义了其工作范围和性能。伏安特性曲线： 正向特性：当正向电压逐渐增加时，二极管从截止状态迅速进入导通状态，电流随电压的增加而迅速上升。这一区域通常描述为OA和AB段，但需注意电流应控制在安全范围内，避免过载损坏。
实验测量二极管的伏安特性曲线通常通过改变电路中的可变电阻来实现。曲线分为正向和反向两个部分。正向特性曲线显示，当正向电压较小时，电流很小；电压超过特定值后，电流迅速增加。反向特性曲线则表现出较小的反向电流，几乎不随电压变化，称为反向饱和电流。反向电流随温度升高而显著增加。
什么叫半导二极管的伏安特性曲线
1、半导二极管的伏安特性是指流过半导二极管的电流随半导二极管两端电压的变化特性，半导二极管的伏安特性曲线是指反映该变化特性的曲线、下图所示的两条曲线，是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线，曲线可分三部分来说明。
2、半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。
3、半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的，如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。
怎样分析二极管的伏安特性曲线
1、二极管伏安的正向特性，理想的二极管，正向电流和电压成指数关系。 但是实际的二极管，加正向电压的时候，需要克服PN结内电压，所以电压要大于内电压时，才会出现电流。这个最小电压称作开启电压。小于开启电压的区域，叫做死区。 当电压大于开启电压，那么电流成指数关系上升。
2、正向特性 特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时，正向电流才明显增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
3、二极管的伏安特性曲线是：外加电压Uw方向为P→N时，Uw大于起动电压，二极管导通；外加电压Uw方向为N→P时，Uw大于反向击穿电压，二极管击穿。二极管的伏安特性是指加在二极管两端电压和流过二极管的电流之间的关系，用于定性描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线。
4、从图中可以看出，在正向电压区域，二极管的电流曲线位于PN结电流曲线的下方；而在反向电压区域，二极管的电流曲线则位于PN结电流曲线的上方。这正好验证了上述关于正向电流和反向电流差异的分析。
晶体二极管伏安特性和晶体三极管的输出特性曲线
1、楼上错了，二极管的伏安特性曲线是斜率逐渐变大的曲线，三极管的输出特性曲线主要部分（放大区）是一组接近平行的略微倾斜的直线。
2、输入特性曲线 输入特性曲线表示当e极与c极之间的电压Uec保持不变时，输入电流（即基极电流Ib）和输入电压（即基极与发射极间电压Ueb）之间的关系曲线。曲线分析：当Uec=0时，晶体三极管的输入特性曲线与二极管的正向伏安特性相同。
3、晶体三极管的伏安特性曲线包括输入特性和输出特性。我们以共射极电路为例进行讲解，理解三极管的伏安特性。输入特性描述了iB（基极电流）与uBE（发射结电压）的关系。发射结正偏，与普通二极管的伏安特性曲线类似。
4、下面以使用本仪器测试“晶体二极管伏安特性”和“晶体三极管输出特性”为例，介绍仪器的工作原理。1．二极管伏安特性的测试原理流过二极管的电流I和二极管两端电压U的函数关系称为“二极管伏安特性”。本仪器通过显示“伏安特性曲线”来定量显示被测二极管的“伏安特性”。
如何绘制二极管的伏安特性曲线
根据需要调整图表的样式和坐标轴标签。手动绘制：如果不使用电子表格软件，也可以手动在坐标纸上绘制。横轴表示电压（V），纵轴表示电流（A或mA/uA）。根据记录的数据点，在坐标纸上标出每个点，并用平滑的曲线连接这些点。
，电路：电源、开关、滑动变阻器、电流表、二极管、保护电阻串联连接，二极管上并联电压表。2，建立坐标系：横轴为电压，纵轴为电流。3，打开开关接通电路，调节滑动变阻器，对电压及对应的电流的变化作详细记录。4，根据记录的数据，在坐标系中画出相应的点，把这些点连成线就是二极管的伏安特性曲线。
正向特性 特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时，正向电流才明显增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
如何分析二极管的伏安特性?
二极管伏安的反向特性，理想的二极管，不论反向电压多大，反向都无电流。实际的二极管，反向截止时，也是有电流的，这个电流叫做反向饱和电流。在电压没有达到反向击穿电压时，二极管的电流一直等于方向饱和电流。但是当电压大到一定程度，二极管被反向击穿，电流急剧增大。 反向击穿分齐纳击穿和雪崩击穿两种。
二极管的伏安特性主要是其正向特性。以下是关于二极管伏安特性的详细解释：正向特性的起始部分——死区 在正向特性的起始阶段，由于外加的正向电压很小，此时的外电场还不足以克服二极管内部的内电场对多数载流子的阻碍作用。因此，在这个阶段，正向电流几乎为零。
正向特性 特性曲线1的右半部分称为正向特性，由图可见，当加二极管上的正向电压较小时，正向电流小，几乎等于零。只有当二极管两端电压超过某一数值Uon时，正向电流才明显增大。将Uon称为死区电压。死区电压与二极管的材料有关。一般硅二极管的死区电压为0.5V左右，锗二极管的死区电压为0.1V左右。
正向特性曲线：二极管的伏安特性曲线在第一象限表示其正向特性，即外加正向电压时二极管的工作情况。死区：在正向特性的起始部分，由于正向电压很小，外电场还不足以克服内电场对多数载流子的阻碍作用，此时正向电流几乎为零。这一区域被称为死区。死区对应的电压称为死区电压。
晶体三极管的伏安特性曲线包括输入特性和输出特性。我们以共射极电路为例进行讲解，理解三极管的伏安特性。输入特性描述了iB（基极电流）与uBE（发射结电压）的关系。发射结正偏，与普通二极管的伏安特性曲线类似。
伏安特性，简而言之，是指流过电流和两端电压之间的关系。将这种关系以图形方式展现，即为伏安特性曲线。PN结与二极管虽然具有相同的伏安特性公式，但它们的伏安特性曲线却存在微小差异。
